其實(shí)對(duì)于用戶來說,EEPROM 和FLASH 的主要的區(qū)別就是

1. EEPROM 可以按“位”擦寫,而FLASH 只能一大片一大片的擦。

2. EEPROM 一般容量都不大,如果大的話,EEPROM 相對(duì)與FLASH 就沒有價(jià)格上的優(yōu)勢(shì)了。 市面上賣的stand alone 的EERPOM 一般都是在64KBIT 以下,而FLASH 一般都是8MEG BIT 以上(NOR 型)。

3. 讀的速度的話,應(yīng)該不是兩者的差別,只是（碩士論文）EERPOM 一般用于低端產(chǎn)品,讀的速度不 需要那么快,真要做的話,其實(shí)也是可以做的和FLASH 差不多。

4. 因?yàn)镋EPROM 的存儲(chǔ)單元是兩個(gè)管子而FLASH 是一個(gè)(SST 的除外,類似于兩管), 所以CYCLING 的話,EEPROM 比FLASH 要好一些,到1000K 次也沒有問題的。

總的來說,對(duì)與用戶來說,EEPROM 和FLASH 沒有大的區(qū)別,只是EEPROM 是低端產(chǎn)品, 容量低,價(jià)格便宜,但是穩(wěn)定性較FLASH 要好一些。 但對(duì)于EEPROM 和FLASH 的設(shè)計(jì)來說,FLASH 則要難的多,不論是從工藝上的還是從外圍 電路設(shè)計(jì)上來說。